MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC

International Rectifier

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:6.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 6.2A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3220pF @ 25V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SO

• 深圳市明烽威电子有限公司
• 深圳市永星科电子有限公司
• 深圳市顺科伟业电子有限公司
• 深圳市诺正芯电子有限公司
• 深圳市腾运泰科技有限公司
• 深圳市粤骏腾电子科技有限公司
• 深圳市斌腾达科技有限公司
• 深圳市乐美微科技有限公司
• 德信电子（香港）有限公司
• 深圳市拍明芯城电子有限公司
• 北京华威远航电子科技有限责任公司
• 深圳市得天时实业有限公司
• 深圳市辰华鼎盛电子科技有限公司
• 深圳市福田区铭芯盛电子商行
• 深圳市金联芯科技有限公司
• 深圳市福田区伟成微电子经营部
• 深圳市元英电子有限公司
• 深圳市益辉科技有限公司
• 深圳市金胜达微科技有限公司
• 深圳市淘芯电子有限公司